Vill Projeten vun Hardware Ingenieuren sinn op der Lach Bord ofgeschloss, mä et ass de Phänomen vun zoufälleg Verbindung déi positiv an negativ Statiounen vun der Energieversuergung, déi féiert zu vill elektronesch Komponente Verbrenne, a souguer de ganze Bord zerstéiert, an et muss erëm geschweest ginn, ech weess net wéi eng gutt Manéier et ze léisen?
Éischt vun all, carelessness ass inévitabel, obwuel et nëmmen déi positiv an negativ zwee Dréit ofgepëtzt ze z'ënnerscheeden, eng rout an eng schwaarz, kann eemol wiring, mir wäerten net Feeler maachen; Zéng Verbindunge ginn net falsch, awer 1.000? Wat iwwer 10.000? Zu dësem Zäitpunkt ass et schwéier ze soen, wéinst eiser Virsiichtegkeet, wat zu e puer elektronesche Komponenten a Chips verbrannt ass, den Haaptgrond ass datt de Stroum ze vill Ambassadeur Komponente gebrach sinn, also musse mir Moossname huelen fir de Réckverbindung ze vermeiden .
Et ginn déi folgend Methoden allgemeng benotzt:
01 Diode Serie Typ Anti-Réckschutz Circuit
Eng Forward Diode ass a Serie mat der positiver Kraaft-Input ugeschloss fir d'Charakteristike vun der Diode vun der Forwardleitung an der Réckschnëtt voll ze benotzen. Ënner normalen Ëmstänn féiert de Secondaire Rouer an de Circuit Board funktionnéiert.
Wann d'Energieversuergung ëmgedréint ass, gëtt d'Diode ofgeschnidden, d'Energieversuergung kann net eng Loop bilden, an de Circuit Board funktionnéiert net, wat effektiv de Problem vun der Energieversuergung verhënneren kann.
02 Rectifier Bréck Typ Anti-Réckschutz Circuit
Benotzt d'Griichterbréck fir de Strouminput an en net-polare Input z'änneren, egal ob d'Energieversuergung ugeschloss ass oder ëmgedréint ass, de Board funktionnéiert normalerweis.
Wann d'Silisiumdiode en Drockfall vun ongeféier 0,6 ~ 0,8V huet, huet d'Germaniumdiode och en Drockfall vun ongeféier 0,2 ~ 0,4V, wann den Drockfall ze grouss ass, kann de MOS Röhre fir Anti-Reaktiounsbehandlung benotzt ginn, den Drockfall vum MOS Röhre ass ganz kleng, bis zu e puer Milliohm, an den Drockfall ass bal vernoléisseg.
03 MOS Tube Anti-Reverse Schutz Circuit
MOS Röhre wéinst Prozessverbesserung, seng eege Eegeschaften an aner Faktoren, seng intern Resistenz ass kleng, vill si Milliohm Niveau, oder souguer méi kleng, sou datt de Circuit Spannungsfall, de Stroumverloscht verursaacht vum Circuit besonnesch kleng ass, oder souguer vernoléisseg , Also wielt MOS Röhre fir de Circuit ze schützen ass e méi recommandéierte Wee.
1) NMOS Schutz
Wéi hei ënnendrënner: Am Moment vum Power-on gëtt d'parasitär Diode vum MOS-Röhre ageschalt, an de System bildt eng Loop. D'Potenzial vun der Quell S ass ongeféier 0,6V, während d'Potenzial vum Paart G Vbat ass. D'Ouverturesspannung vum MOS-Röhre ass extrem: Ugs = Vbat-Vs, d'Paart ass héich, d'DS vun NMOS ass op, d'parasitär Diode ass kuerzverschlësselt, an de System bildt eng Loop duerch den ds Zougang vun NMOS.
Wann d'Energieversuergung ëmgedréint ass, ass d'On-Spannung vum NMOS 0, den NMOS gëtt ofgeschnidden, d'parasitär Diode gëtt ëmgedréint, an de Circuit ass ofgeschalt, sou datt de Schutz formt.
2) PMOS Schutz
Wéi hei ënnendrënner: Am Moment vum Power-on gëtt d'parasitär Diode vum MOS-Röhre ageschalt, an de System bildt eng Loop. D'Potenzial vun der Quell S ass ongeféier Vbat-0.6V, während d'Potenzial vum Paart G ass 0. D'Ouverturesspannung vum MOS-Röhre ass extrem: Ugs = 0 - (Vbat-0.6), de Paart verhält sech als nidderegen Niveau , d'DS vum PMOS ass op, d'parasitär Diode ass kuerzverschlësselt, an de System bildt eng Loop duerch den ds Zougang vu PMOS.
Wann d'Energieversuergung ëmgedréit ass, ass d'On-Spannung vum NMOS méi wéi 0, de PMOS gëtt ofgeschnidden, d'parasitär Diode gëtt ëmgedréint, an de Circuit ass ofgeschalt, sou datt de Schutz geformt gëtt.
Bemierkung: NMOS Röhre stringen ds op déi negativ Elektrode, PMOS Röhre stringen ds op déi positiv Elektrode, an déi parasitär Diode Richtung ass an déi richteg verbonne Stroumrichtung.
Den Zougang vun den D- a S-Pole vum MOS-Röhre: normalerweis wann de MOS-Röhre mat N-Kanal benotzt gëtt, kënnt de Stroum allgemeng vum D-Pol eran a fléisst aus dem S-Pol eraus, an de PMOS kënnt an D aus dem S Pole, an de Géigendeel ass wouer wann se an dësem Circuit applizéiert ginn, gëtt de Spannungszoustand vum MOS-Röhre duerch d'Leedung vun der parasitärer Diode erfëllt.
De MOS-Röhre gëtt voll ageschalt soulaang eng passend Spannung tëscht de G- a S-Pole etabléiert ass. Nom Dirigent ass et wéi wann e Schalter tëscht D an S zou ass, an de Stroum ass déiselwecht Resistenz vun D op S oder S op D.
A prakteschen Uwendungen ass de G Pol allgemeng mat engem Widderstand verbonnen, a fir ze vermeiden datt de MOS-Röhre ofgebrach gëtt, kann och eng Spannungsregulatordiode bäigefüügt ginn. E Kondensator, deen parallel mat engem Trennung verbonnen ass, huet e Softstarteffekt. Am Moment fänkt de Stroum un ze fléien, de Kondensator gëtt gelueden an d'Spannung vum G-Pol gëtt no an no opgebaut.
Fir PMOS, am Verglach mam NOMS, muss Vgs méi grouss sinn wéi d'Schwellspannung. Well d'Ëffnungsspannung 0 ka sinn, ass den Drockdifferenz tëscht DS net grouss, wat méi avantagéis ass wéi NMOS.
04 Sicherung Schutz
Vill allgemeng elektronesch Produkter kënnen no der Ouverture vum Stroumversuergungsdeel mat enger Sicherung gesi ginn, an der Stroumversuergung ass ëmgedréint, et gëtt e Kuerzschluss am Circuit wéinst grousse Stroum, an dann ass d'Sicherung geblosen, spillt eng Roll beim Schutz vum Circuit, awer dës Manéier Reparatur an Ersatz ass méi lästeg.
Post Zäit: Jul-08-2023
