Vill Projeten vun Hardware-Ingenieuren ginn op der Hole-Board ofgeschloss, awer et gëtt de Phänomen, datt déi positiv an negativ Klemme vun der Stroumversuergung zoufälleg verbonne ginn, wat dozou féiert, datt vill elektronesch Komponenten verbrennen, an och déi ganz Board zerstéiert gëtt, an et muss nach eng Kéier geschweesst ginn, ech weess net, wéi ech dat gutt léise kann?
Éischtens ass Onvorsichtegkeet inévitabel, och wann et nëmmen ass, fir déi positiv an negativ zwee Drot z'ënnerscheeden, e rouden an e schwaarzen, kënnen eemol verdraat ginn, mir wäerten kee Feeler maachen; zéng Verbindungen ginn net falsch, awer 1.000? Wéi wier et mat 10.000? Am Moment ass et schwéier ze soen, wéinst eiser Onvorsichtegkeet, hunn e puer elektronesch Komponenten a Chips verbrannt, den Haaptgrond ass, datt de Stroum ze vill ass, dofir musse mir Moossname treffen, fir d'Réckverbindung ze verhënneren.
Et ginn déi folgend Methoden, déi allgemeng benotzt ginn:
01 Diodenserie-Typ Anti-Réckwärtsschutzschaltung
Eng Virwärtsdiod ass a Serie um positiven Energieingang ugeschloss, fir d'Charakteristike vun der Diod vun der Virwärtsleitung an der Réckwärtsofschaltung voll auszenotzen. Ënner normalen Ëmstänn leet d'Sekundärrouer an d'Leiterplatte funktionéiert.
Wann d'Stroumversuergung ëmgedréint ass, gëtt d'Diod ofgeschnidden, d'Stroumversuergung kann keng Schleif bilden, an d'Leiterplatte funktionéiert net, wat de Problem vun der Stroumversuergung effektiv verhënnere kann.
02 Réckwärtsschutzschaltung vum Gläichrichterbrécktyp
Benotzt d'Gleichrichterbréck fir den Energieinput an en netpolaren Input ëmzewandelen, egal ob d'Stroumversuergung ugeschloss oder ëmgedréint ass, d'Board funktionéiert normal.
Wann d'Siliziumdiod en Drockfall vu ronn 0,6~0,8V huet, huet d'Germaniumdiod och en Drockfall vu ronn 0,2~0,4V. Wann den Drockfall ze grouss ass, kann d'MOS-Röhre fir d'Anti-Reaktiounsbehandlung benotzt ginn. Den Drockfall vum MOS-Röhre ass ganz kleng, bis zu e puer Milliohm, an den Drockfall ass bal vernoléissegbar.
03 MOS-Röhre-Anti-Réckwärtsschutzschaltung
Wéinst der Prozessverbesserung, den eegenen Eegeschaften an anere Faktoren ass de leetenden internen Widderstand bei MOS-Röhre kleng, a vill vun hinnen um Milliohm-Niveau oder souguer méi kleng, sou datt de Spannungsoffall an de Stroumverloscht vum Circuit, deen duerch de Circuit verursaacht gëtt, besonnesch kleng oder souguer vernoléissegbar sinn. Dofir ass et méi recommandéiert, MOS-Röhre ze wielen, fir de Circuit ze schützen.
1) NMOS-Schutz
Wéi hei ënnendrënner gewisen: Beim Uschalten gëtt d'Parasitdiod vum MOS-Röhr ageschalt, an de System bildt eng Schleif. De Potenzial vun der Quell S ass ongeféier 0,6 V, während de Potenzial vum Gate G Vbat ass. D'Ouverturespannung vum MOS-Röhr ass extrem héich: Ugs = Vbat-Vs, de Gate ass héich, den ds vum NMOS ass ageschalt, d'Parasitdiod ass kuerzgeschloss, an de System bildt eng Schleif iwwer den ds-Zougang vum NMOS.
Wann d'Stroumversuergung ëmgedréint ass, ass d'On-Spannung vum NMOS 0, den NMOS gëtt ofgeschnidden, d'Parasitdiod gëtt ëmgedréint an de Circuit gëtt ënnerbrach, wouduerch e Schutz entsteet.
2) PMOS-Schutz
Wéi hei ënnendrënner gewisen: Beim Uschalten gëtt d'Parasitdiod vum MOS-Röhr ageschalt, an de System bildt eng Schleif. De Potenzial vun der Quell S ass ongeféier Vbat-0,6V, während de Potenzial vum Gate G 0 ass. D'Ouverturespannung vum MOS-Röhr ass extrem héich: Ugs = 0 – (Vbat-0,6), de Gate verhält sech wéi en niddregen Niveau, den ds vum PMOS ass ageschalt, d'Parasitdiod ass kuerzgeschloss, an de System bildt eng Schleif duerch den ds-Zougang vum PMOS.
Wann d'Stroumversuergung ëmgedréint ass, ass d'On-Spannung vum NMOS méi grouss wéi 0, de PMOS gëtt ofgeschnidden, d'parasitär Diod gëtt ëmgedréint an de Circuit gëtt ënnerbrach, wouduerch e Schutz entsteet.
Bemierkung: NMOS-Réier verbannen ds un déi negativ Elektrod, PMOS-Réier verbannen ds un déi positiv Elektrod, an d'Richtung vun der parasitärer Diod ass a Richtung vun der korrekt ugeschlossener Stroumrichtung.
Den Zougang zu den D- an S-Polen vum MOS-Röhr: normalerweis wann d'MOS-Röhr mat N-Kanal benotzt gëtt, kënnt de Stroum allgemeng vum D-Pol eran an aus dem S-Pol eraus, an de PMOS kënnt eran an D geet aus dem S-Pol eraus, an d'Géigendeel ass wouer wann an dësem Circuit ugewannt gëtt, wou d'Spannungsbedingung vum MOS-Röhr duerch d'Leedung vun der parasitärer Diod erfëllt gëtt.
D'MOS-Röhre ass voll ageschalt, soulaang eng passend Spannung tëscht de Pole G an S etabléiert ass. Nom Leeden ass et wéi wann e Schalter tëscht D an S zougemaach wier, an de Stroum ass dee selwechte Widderstand vun D op S oder S op D.
A prakteschen Uwendungen ass de G-Pol meeschtens mat engem Widderstand verbonnen, an fir ze verhënneren, datt d'MOS-Röhr futti geet, kann och eng Spannungsreglerdiod bäigefüügt ginn. E Kondensator, deen parallel un en Trenner ugeschloss ass, huet e Soft-Start-Effekt. Soubal de Stroum ufänkt ze fléissen, gëtt de Kondensator gelueden an d'Spannung vum G-Pol gëtt lues a lues opgebaut.
Fir PMOS, am Verglach mat NOMS, muss Vgs méi grouss sinn wéi d'Schwellspannung. Well d'Ouverturespannung 0 ka sinn, ass den Drockënnerscheed tëscht DS net grouss, wat méi virdeelhaft ass wéi NMOS.
04 Sécherungsschutz
Vill üblech elektronesch Produkter kënnen no der Ouverture vum Stroumversuergungsdeel mat enger Sicherung gesi ginn. Wann d'Stroumversuergung ëmgedréit ass, gëtt et e Kuerzschluss am Circuit wéinst dem héije Stroum, an dann ass d'Sicherung duerchgebrannt. Dëst spillt eng Roll beim Schutz vum Circuit, awer op dës Manéier ass d'Reparatur an den Ersatz méi problematesch.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 10. Juli 2023
