D'Käschte vum Energiespeichersystem besteet haaptsächlech aus Batterien an Energiespeicherinverter.Den Total vun deenen zwee ass 80% vun de Käschte vum elektrochemesche Energiespeichersystem, vun deem den Energiespeicherinverter 20% ausmécht.Den IGBT Isoléiergitter bipolare Kristall ass de Upstream Rohmaterial vum Energiespeicherinverter.D'Performance vum IGBT bestëmmt d'Performance vum Energiespeicherinverter, deen 20% -30% vum Wäert vum Inverter ausmécht.
D'Haaptroll vun IGBT am Beräich vun Energie Stockage ass Transformator, Frequenz Konversioun, Intervolutioun Konversioun, etc., Wat ass en onverzichtbaren Apparat an Energie Stockage Uwendungen.
Figur: IGBT Modul
D'upstream Matière première vun Energie Stockage Verännerlechen och IGBT, capacitance, Resistenz, elektresch Resistenz, PCB, etc.. Dorënner, IGBT hänkt nach haaptsächlech op Importer.Et gëtt nach ëmmer e Gruef tëscht heemlechen IGBT um Technologieniveau an dem weltwäite féierende Niveau.Wéi och ëmmer, mat der rapider Entwécklung vun der China Energielagerindustrie, gëtt den Domestizéierungsprozess vun IGBT och erwaart ze beschleunegen.
IGBT Energielagerung Uwendungswäert
Am Verglach mat Photovoltaik ass de Wäert vun der Energielagerung IGBT relativ héich.Energielagerung benotzt méi IGBT a SIC, déi zwee Linken involvéiert: DCDC an DCAC, dorënner zwou Léisungen, nämlech déi optesch Lagerung integréiert a separat Energielagerungssystem.Den onofhängege Energiespeichersystem, d'Quantitéit u Kraaft Hallefleitgeräter ass ongeféier 1,5 Mol d'Photovoltaik.Am Moment kann optesch Späichere méi wéi 60-70% ausmaachen, an e separaten Energiespeichersystem fir 30%.
Figur: BYD IGBT Modul
IGBT huet eng breet Palette vun Uwendungsschichten, wat méi avantagéis ass wéi MOSFET am Energiespeicherinverter.An aktuellen Projeten huet IGBT graduell MOSFET als Kärgerät vu Photovoltaik Inverter a Windenergie Generatioun ersat.Déi séier Entwécklung vun der neier Energiekraaftproduktiounsindustrie wäert eng nei dreiwend Kraaft fir d'IGBT Industrie ginn.
IGBT ass de Kärapparat fir Energietransformatioun an Iwwerdroung
IGBT kann voll als Transistor verstane ginn, deen elektronesch Zwee-Wee (Multi-Directional) fléisst mat Ventilkontrolle kontrolléiert.
IGBT ass e Komposit Voll-Kontrollspannung-Undriff Kraaft-Hallefueder-Apparat besteet aus der BJT bipolare Triode an Isoléiergitter Feldeffekt Röhre.D'Virdeeler vun zwee Aspekter vum Drockfall.
Figur: IGBT Modul Struktur schematesch Diagramm
D'Schaltfunktioun vum IGBT ass fir e Kanal ze bilden andeems Dir positiv un d'Gatespannung bäidréit fir de Basisstroum un de PNP Transistor ze liwweren fir IGBT ze fueren.Ëmgekéiert, füügt déi ëmgedréint Dierspannung fir de Kanal ze eliminéieren, duerch den ëmgedréint Basisstroum ze fléissen an den IGBT auszeschalten.D'Fuertmethod vum IGBT ass am Fong d'selwecht wéi déi vum MOSFET.Et brauch nëmmen d'Input Pole N eent-Kanal MOSFET ze kontrolléieren, sou huet et héich Input impedance Charakteristiken.
IGBT ass de Kärapparat vun der Energietransformatioun an der Iwwerdroung.Et ass allgemeng als "CPU" vun elektreschen elektroneschen Apparater bekannt.Als national strategesch opkomende Industrie ass et vill an nei Energieausrüstung an aner Felder benotzt.
IGBT huet vill Virdeeler dorënner héich Input Impedanz, niddereg Kontroll Muecht, einfach dreiwend Circuit, séier Schaltgeschwindegkeet, grouss-Staat aktuell, reduzéiert Diversioun Drock, a klenge Verloscht.Dofir huet et absolut Virdeeler am aktuellen Maartëmfeld.
Dofir ass IGBT de meeschte Mainstream vum aktuellen Power Semiconductor Maart ginn.Et gëtt vill a ville Beräicher benotzt wéi nei Energiekraaftproduktioun, elektresch Gefierer an Opluedstécker, elektrifizéiert Schëffer, DC Transmissioun, Energielagerung, industriell elektresch Kontroll an Energiespueren.
Figur:InfineonIGBT Modul
IGBT Klassifikatioun
No der verschiddene Produit Struktur, IGBT huet dräi Zorte: Single-Pipe, IGBT Modul an Smart Muecht Modul IPM.
(Opluedstécker) an aner Felder (meeschtens sou modulare Produkter déi um aktuellen Maart verkaaft ginn).Den intelligente Kraaftmodul IPM gëtt haaptsächlech am Feld vu wäiss Hausgeräter wéi Inverter Klimaanlagen a Frequenzkonversiounswäschmaschinnen benotzt.
Ofhängeg vun der Spannung vum Uwendungsszenario, huet IGBT Typen wéi Ultra-Niddereg Spannung, Low Volt, Medium Volt an Héichspannung.
Ënnert hinnen ass den IGBT, deen vun neien Energieautoen, industrieller Kontroll an Haushaltsapparater benotzt gëtt, haaptsächlech Mëttelspannung, wärend Schinnentransit, nei Energiekraaftproduktioun a Smart Netzer méi héich Spannungsfuerderunge hunn, haaptsächlech mat HéichspannungsIGBT.
IGBT schéngt meeschtens a Form vu Moduler.IHS Daten weisen datt den Undeel vu Moduler an eenzel Rouer 3 ass: 1. De Modul ass e modulare Hallefleitprodukt vum IGBT Chip an dem FWD (Fortsetzungsdiode Chip) duerch eng personaliséiert Circuitbréck, an duerch Plastikrahmen, Substrate a Substrate. , etc.
MArket Situatioun:
Chinesesch Firmen wuessen séier, a si sinn am Moment ofhängeg vun Importer
Am Joer 2022 hat d'IGBT Industrie vu mengem Land en Ausgang vu 41 Milliounen, mat enger Nofro vu ronn 156 Milliounen, an engem selbststännegen Taux vun 26,3%.Am Moment ass den Haus IGBT Maart haaptsächlech vun iwwerséiesche Hiersteller besat wéi Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, a Fuji Electric, vun deenen den héchsten Undeel Yingfei Ling ass, wat 15,9% ass.
D'IGBT Modul Maart CR3 erreecht 56,91%, an den Total Undeel vun Gewalt Hiersteller Star Direkter an CRRC Ära vun 5,01% war 5,01%.Den Top dräi Hiersteller Maartundeel vum weltwäiten IGBT Split Apparat erreecht 53.24%.Domestic Hiersteller koumen an den Top Ten Maartundeel vum weltwäiten IGBT Apparat mat engem Maartundeel vun 3,5%.
IGBT schéngt meeschtens a Form vu Moduler.IHS Daten weisen datt den Undeel vu Moduler an eenzel Rouer 3 ass: 1. De Modul ass e modulare Hallefleitprodukt vum IGBT Chip an dem FWD (Fortsetzungsdiode Chip) duerch eng personaliséiert Circuitbréck, an duerch Plastikrahmen, Substrate a Substrate. , etc.
MArket Situatioun:
Chinesesch Firmen wuessen séier, a si sinn am Moment ofhängeg vun Importer
Am Joer 2022 hat d'IGBT Industrie vu mengem Land en Ausgang vu 41 Milliounen, mat enger Nofro vu ronn 156 Milliounen, an engem selbststännegen Taux vun 26,3%.Am Moment ass den Haus IGBT Maart haaptsächlech vun iwwerséiesche Hiersteller besat wéi Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, a Fuji Electric, vun deenen den héchsten Undeel Yingfei Ling ass, wat 15,9% ass.
D'IGBT Modul Maart CR3 erreecht 56,91%, an den Total Undeel vun Gewalt Hiersteller Star Direkter an CRRC Ära vun 5,01% war 5,01%.Den Top dräi Hiersteller Maartundeel vum weltwäiten IGBT Split Apparat erreecht 53.24%.Domestic Hiersteller koumen an den Top Ten Maartundeel vum weltwäiten IGBT Apparat mat engem Maartundeel vun 3,5%.
Post Zäit: Jul-08-2023